想必現(xiàn)在有很多小伙伴對于電容越小噪聲方面的知識都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于電容越小噪聲方面的知識分享給大家，希望大家會喜歡哦。

1、濾波電容容值與所濾噪聲頻率的關(guān)系

2、去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的，于是實際電容的頻響曲線明顯呈非線性，僅在一定頻率區(qū)間內(nèi)基本符合純電容的理論計算結(jié)果，超出一定界限后就與理論值越差越遠，超到一定程度后甚至電容將不再是電容了，這個頻率稱“自諧振頻率”，同樣材料和制造工藝下，容量越小的電容自諧振頻率越高。所以去耦電容的選擇除了需大致考慮頻率外，還要考慮負載的情況，在一定頻率之后還得考慮電容的材料和生產(chǎn)工藝等，在此基礎(chǔ)上綜合的結(jié)果決定去耦電容的容量和種類。

3、通常數(shù)字電路的噪聲頻率在兆至百兆量級區(qū)間，這個區(qū)間的噪聲采用陶瓷獨石介質(zhì)的0.1uF電容就可取得合適的效果，如果負載較重或噪聲較強，可選擇更大容量的電容或用多個電容并聯(lián)，同樣容量和電容材料下，小電容并聯(lián)的效果強于單一大電容，頻率越高越明顯，高頻去耦則需采用大小電容并聯(lián)的方式分別對付不同頻譜的噪聲。

4、芝士干回答，組版權(quán)必究，未經(jīng)許可，口不得轉(zhuǎn)區(qū)路載

5、一般去耦電容的容量選取原則：

6、100M以下輕載：0.1uF，重載或存在較大低頻噪聲的可加并1－10uF的電容，介質(zhì)材料選擇陶瓷或鉭為宜；

7、100M－1000M：前述＋100－1000pF（＋10pF），括號內(nèi)根據(jù)頻率的高限選擇是否需要，小電容的介質(zhì)選擇必須是高頻陶瓷，早期則多用云母，

8、1G以上：前述＋1－10pF，介質(zhì)最好選擇高Q微波陶瓷材料。

9、高頻重載時必須用多個小電容并聯(lián)切不可直接用大電容。

本文到此結(jié)束，希望對大家有所幫助。

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