想必現(xiàn)在有很多小伙伴對于如圖是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）寫出元素①的元素符號， 與①同周期的主族元素中，第一電離能比①大的有種。（2）基態(tài)銻（$\mathrm{Sb}$）原子的價(jià)電子排布式為。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸銻）是一種超強(qiáng)酸，則$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$離子的空間構(gòu)型為，寫出一種與$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互為等電子體的分子。（3）下列說法正確的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5個(gè)$\mathrm{\text{σ}}$鍵和1個(gè)$\pi $鍵B.基態(tài)$\mathrm{P}$原子中，電子占據(jù)的最高能級符號為MC.$\mathrm{Sb}$位于p區(qū)D.升溫實(shí)現(xiàn)—液氨$\to $氨氣$\to $氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如表所示，解釋$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)變化原因。物質(zhì)$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，已知六棱柱底邊邊長為a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周圍距離最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為；②從$\mathrm{GaN}$晶體中分割出的平行六面體如圖2所示。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。","title_text":"如圖是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）寫出元素①的元素符號， 與①同周期的主族元素中，第一電離能比①大的有種。（2）基態(tài)銻（$\mathrm{Sb}$）原子的價(jià)電子排布式為。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸銻）是一種超強(qiáng)酸，則$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$離子的空間構(gòu)型為，寫出一種與$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互為等電子體的分子。（3）下列說法正確的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5個(gè)$\mathrm{\text{σ}}$鍵和1個(gè)$\pi $鍵B.基態(tài)$\mathrm{P}$原子中，電子占據(jù)的最高能級符號為MC.$\mathrm{Sb}$位于p區(qū)D.升溫實(shí)現(xiàn)—液氨$\to $氨氣$\to $氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如表所示，解釋$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)變化原因。物質(zhì)$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，已知六棱柱底邊邊長為a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周圍距離最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為；②從$\mathrm{GaN}$晶體中分割出的平行六面體如圖2所示。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。方面的知識都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于如圖是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）寫出元素①的元素符號， 與①同周期的主族元素中，第一電離能比①大的有種。（2）基態(tài)銻（$\mathrm{Sb}$）原子的價(jià)電子排布式為。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸銻）是一種超強(qiáng)酸，則$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$離子的空間構(gòu)型為，寫出一種與$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互為等電子體的分子。（3）下列說法正確的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5個(gè)$\mathrm{\text{σ}}$鍵和1個(gè)$\pi $鍵B.基態(tài)$\mathrm{P}$原子中，電子占據(jù)的最高能級符號為MC.$\mathrm{Sb}$位于p區(qū)D.升溫實(shí)現(xiàn)—液氨$\to $氨氣$\to $氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如表所示，解釋$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)變化原因。物質(zhì)$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，已知六棱柱底邊邊長為a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周圍距離最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為；②從$\mathrm{GaN}$晶體中分割出的平行六面體如圖2所示。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。","title_text":"如圖是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）寫出元素①的元素符號， 與①同周期的主族元素中，第一電離能比①大的有種。（2）基態(tài)銻（$\mathrm{Sb}$）原子的價(jià)電子排布式為。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸銻）是一種超強(qiáng)酸，則$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$離子的空間構(gòu)型為，寫出一種與$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互為等電子體的分子。（3）下列說法正確的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5個(gè)$\mathrm{\text{σ}}$鍵和1個(gè)$\pi $鍵B.基態(tài)$\mathrm{P}$原子中，電子占據(jù)的最高能級符號為MC.$\mathrm{Sb}$位于p區(qū)D.升溫實(shí)現(xiàn)—液氨$\to $氨氣$\to $氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如表所示，解釋$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)變化原因。物質(zhì)$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔點(diǎn)\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，已知六棱柱底邊邊長為a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周圍距離最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為；②從$\mathrm{GaN}$晶體中分割出的平行六面體如圖2所示。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。方面的知識分享給大家，希望大家會喜歡哦。

1、(1)①位于$mathrm{P}$的下一周期，元素序數(shù)為$33$，元素符號為$mathrm{As}$，$mathrm{As}$原子的外圍$p$電子是半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，第一電離能大于$mathrm{VIA}$族的$34$號元素，但小于$mathrm{Br}$，同周期的主族元素中，第一電離能比$mathrm{As}$大的只有$mathrm{Br}$，即一種，

2、故答案為：$mathrm{As}$；$1$；

3、$left(2right)mathrm{Sb}$位于第五周期的$mathrm{VA}$族元素，與第二周期的$mathrm{N}$原子價(jià)電子排布相似，所以$mathrm{Sb}$原子的價(jià)電子排布式為$5,mathrm{s}^{2}5mathrm{p}^{3}$，$left[mathrm{H}_{2}mathrm{F}right]^{+}$的價(jià)層電子數(shù)$=2+dfrac{7-1-2}{2}=4$，含有兩對孤電子對，$mathrm{VSEPR}$模型為四面體，略去兩對孤電子對，則$left[mathrm{H}_{2}mathrm{F}right]^{+}$離子的空間構(gòu)型為$V$形；$left[mathrm{H}_{2}mathrm{F}right]^{+}$的原子總數(shù)為$3$、其中含有$2$個(gè)$mathrm{H}$原子、帶一個(gè)單位正電荷，所以與其互為等電子體的分子也含有$2$個(gè)$mathrm{H}$原子、價(jià)電子總數(shù)為$8$的分子為$mathrm{H}_{2}mathrm{O}$，

4、故答案為：$5,mathrm{s}^{2}5mathrm{p}^{3}$，$V$形；$mathrm{H}_{2}mathrm{O}$；

5、$left(3right)mathrm{a}.mathrm{N}_{2}mathrm{H}_{4}$分子中存在$4$個(gè)$mathrm{N}-mathrm{H}$和$1$個(gè)$mathrm{N}-mathrm{N}$鍵，無$pi $鍵，故$mathrm{a}$錯(cuò)誤；

6、$mathrm$.基態(tài)$mathrm{P}$原子價(jià)電子排布式為$3,mathrm{s}^{2}3mathrm{p}^{3}$，電子占據(jù)的最高能層符號為$M$，電子占據(jù)的最高能級符號為$p$，故$mathrm$錯(cuò)誤；

7、$mathrm{c}.mathrm{Sb}$原子價(jià)電子排布式為$5,mathrm{s}^{2}5mathrm{p}^{3}$，屬于$p$區(qū)，故$c$正確；

8、$d$.液氨分子間存在氫鍵和分子間作用力，氨氣分解生成氮?dú)夂蜌錃獍l(fā)生化學(xué)變化，斷裂極性共價(jià)鍵，所以升溫時(shí)，液氨$rightarrow $氨氣$rightarrow $氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵，故$d$正確；

9、故答案為：$mathrm{cd}$；

10、(4)晶體硅是原子晶體，$mathrm{GaN}$、$mathrm{GaP}$的晶體類型與晶體硅類似，則$mathrm{GaN}$、$mathrm{GaP}$均為原子晶體，原子間存在共價(jià)鍵，由于原子半徑：$mathrm{P} gt mathrm{N}$，鍵長$mathrm{Ga}-mathrm{P} gt mathrm{Ga}-mathrm{N}$，鍵能$mathrm{Ga}-mathrm{N} gt mathrm{Ga}-mathrm{P}$，所以熔點(diǎn)：$mathrm{G}mathrm{a}mathrm{N}gt mathrm{G}mathrm{a}{mathrm{P}}^{}$，

11、故答案為：$mathrm{GaN}$、$mathrm{GaP}$都是原子晶體，原子半徑$mathrm{N} lt mathrm{P}$，鍵長$mathrm{Ga}-mathrm{N} lt mathrm{Ga}-mathrm{P}$，鍵能$mathrm{Ga}-mathrm{N} gt mathrm{Ga}-mathrm{P}$，故$mathrm{GaN}$熔點(diǎn)大于$mathrm{GaP}$；

12、(5)①$mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，以結(jié)構(gòu)單元上底面面心的$mathrm{Ga}$原子研究，上底面$6$個(gè)頂點(diǎn)$mathrm{Ga}$原子、內(nèi)部的$3$個(gè)$mathrm{Ga}$原子之距離最近且相等，與上底面共面的結(jié)構(gòu)單元內(nèi)還有$3$個(gè)$mathrm{Ga}$原子，故每個(gè)$mathrm{Ga}$原子周圍距離最近的$mathrm{Ga}$原子數(shù)目為$12$，

13、故答案為：$12$；

14、②晶胞中$mathrm{Ga}$原子數(shù)為$1+4times dfrac{1}{6}+4times dfrac{1}{12}=2$，$mathrm{N}$原子數(shù)為$1+2times dfrac{1}{3}+2times dfrac{1}{6}=2$，晶胞的質(zhì)量$m=dfrac{2times, 84}{mathrm{N}_{mathrm{A}}}mathrm{g}$，晶體密度$rho =dfrac{m}{mathrm{V}}=dfrac{dfrac{2times, 84}{N_{mathrm{A}}}}{sqrt {2}a^{3}}mathrm{g}/mathrm{cm}^{3}=dfrac{84sqrt {2}}{N_{mathrm{A}}cdot a^{3}}mathrm{g}/mathrm{cm}^{3}$，

15、故答案為：$dfrac{84sqrt {2}}{N_{mathrm{A}}cdot a^{3}}$。

本文到此結(jié)束，希望對大家有所幫助。

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