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三星電子通過最新的硅創(chuàng)新和生態(tài)系統(tǒng)平臺展示先進代工技術的領先地位

2021-07-18 13:58:32 科技 來源:
導讀 三星電子是先進半導體技術的全球領導者,今天在 2019 年三星代工論壇上宣布其對代工創(chuàng)新和服務的持續(xù)承諾,為硅社區(qū)提供廣泛的技術進步更

三星電子是先進半導體技術的全球領導者,今天在 2019 年三星代工論壇上宣布其對代工創(chuàng)新和服務的持續(xù)承諾,為硅社區(qū)提供廣泛的技術進步更新,以支持當今最苛刻的應用和明天。

該活動今天在加利福尼亞州圣克拉拉舉行,三星高管和行業(yè)專家將回顧半導體技術和代工平臺解決方案的進展,這些解決方案支持人工智能 (AI)、機器學習、5G 網(wǎng)絡、汽車、物聯(lián)網(wǎng) ( IoT)、高級數(shù)據(jù)中心和許多其他領域。

“我們正處于第四次工業(yè)革命的邊緣,這是一個高性能計算和連接的新時代,它將改善地球上每個人的日常生活,”三星電子總裁兼代工業(yè)務負責人 ES Jung 博士說.

“三星電子完全明白,實現(xiàn)強大而可靠的硅解決方案不僅需要最先進的制造和封裝工藝以及設計解決方案,還需要基于信任和共同愿景的代工-客戶協(xié)作關系。今年的鑄造論壇充滿了令人信服的證據(jù),證明我們致力于在所有這些領域取得進步,我們很榮幸能夠與我們行業(yè)最優(yōu)秀和最聰明的人進行交流,”Jung 博士補充道。

鑄造論壇的亮點包括:

新的 3nm GAE PDK 0.1 版已準備就緒

三星的 3nm Gate-All-Around (GAA) 工藝 3GAE 正在開發(fā)中。該公司今天指出,其用于 3GAE 的工藝設計套件 (PDK) 0.1 版已于 4 月發(fā)布,以幫助客戶盡早開始設計工作,并在縮短周轉(zhuǎn)時間 (TAT) 的同時提高設計競爭力。

與 7nm 技術相比,三星的 3GAE 工藝旨在將芯片面積減少 45%,同時功耗降低 50%,性能提高 35%?;?GAA 的工藝節(jié)點有望在下一代應用中得到廣泛采用,例如移動、網(wǎng)絡、汽車、人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng)。

基于納米線的傳統(tǒng) GAA 由于其有效溝道寬度小而需要更多的堆疊。另一方面,三星的 GAA 專利版本 MBCFET™(多橋通道 FET)使用納米片架構,可實現(xiàn)每個堆棧更大的電流。

雖然 FinFET 結構必須以離散方式調(diào)節(jié)鰭的數(shù)量,但 MBCFET™ 通過控制納米片寬度提供更大的設計靈活性。此外,MBCFET™ 與 FinFET 工藝的兼容性意味著兩者可以共享相同的制造技術和設備,從而加快工藝開發(fā)和生產(chǎn)量產(chǎn)。


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